类型：NPN双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA时，hFE=110~800（根据等级不同）
　　噪声系数（NF）：5dB（典型值）
　　封装类型：SOT-23

LDTA114EM3T5G 晶体管具有多项出色的性能特点，使其成为许多高性能模拟电路设计中的理想选择。
　　首先，这款晶体管具有高增益特性，能够在低电流条件下提供稳定的电流放大效果，适用于高增益音频放大器和前置放大电路。其电流增益（hFE）在不同等级下可达到110至800之间，确保了在多种应用场景下的适应性。
　　其次，LDTA114EM3T5G 的增益带宽积（fT）高达250MHz，使其在射频（RF）和高速开关应用中表现出色。这一特性使得它在高频放大器和振荡器电路中具有良好的响应和稳定性。
　　此外，该晶体管的噪声系数较低，典型值为5dB，适用于低噪声前置放大器和音频信号处理电路，有助于提高系统的信噪比和音质表现。
　　由于采用SOT-23小型封装，LDTA114EM3T5G 在PCB布局中占用空间小，适合便携式电子设备和高密度电路设计。同时，其表面贴装封装便于自动化生产和良好的热稳定性。
　　在可靠性方面，该晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C，可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和通信设备等高要求的应用场景。

LDTA114EM3T5G 晶体管广泛应用于多个电子领域，特别是在需要高增益、低噪声和高频性能的电路中。
　　在音频电子领域，该晶体管常用于前置放大器、功率放大器和音频信号处理电路，能够有效提升音频信号的清晰度和动态范围。由于其低噪声特性，非常适合用于高保真音响系统和专业音频设备。
　　在射频（RF）电路中，LDTA114EM3T5G 适用于低噪声放大器（LNA）、混频器和振荡器的设计，支持高频信号的放大和处理，常见于无线通信模块、射频接收器和发射器电路中。
　　此外，该晶体管也广泛用于通用开关电路、逻辑电路和传感器信号调理电路，适用于各种消费类电子产品、工业控制系统和汽车电子系统。
　　在电源管理方面，它可以用于稳压电路、DC-DC转换器和负载开关控制电路，实现高效的电源管理和控制。
　　由于其良好的高频特性和紧凑的封装形式，LDTA114EM3T5G 也广泛用于射频识别（RFID）设备、蓝牙模块、Wi-Fi模块和物联网（IoT）设备中的信号处理电路。

BC547, 2N3904, PN2222A, MPSA13, LMBT2222ALT1G