GA0603A120GBAAT31G 是一款高性能的存储芯片,主要应用于需要大容量和高速数据传输的场景。该芯片采用先进的制程工艺,具备低功耗、高可靠性和出色的性能表现。
这款芯片适用于企业级服务器、数据中心以及消费类电子设备中的存储需求。它支持多种接口协议,并且在数据完整性、安全性和读写速度方面表现出色。
类型:NAND Flash
容量:128GB
接口:PCIe NVMe
工作电压:1.8V
封装形式:BGA
数据传输速率:3500MB/s (顺序读取)
随机读取IOPS:600K
擦写寿命:3000次 P/E Cycle
工作温度:-40°C 至 +85°C
尺寸:16mm x 20mm
GA0603A120GBAAT31G 的主要特性包括:
1. 高速数据传输:通过 PCIe NVMe 接口实现极高的顺序读取和写入速度。
2. 大容量存储:单颗芯片即可提供高达 128GB 的存储空间,满足高密度存储需求。
3. 低功耗设计:采用先进的制程技术,大幅降低芯片运行时的功耗,延长设备续航时间。
4. 稳定性与可靠性:经过严格测试,确保在极端环境下的稳定运行。
5. 数据保护功能:内置 ECC 纠错机制和磨损均衡算法,有效提升数据完整性和使用寿命。
6. 小型化封装:BGA 封装形式使得该芯片非常适合空间受限的应用场景。
GA0603A120GBAAT31G 广泛应用于以下领域:
1. 企业级服务器和存储系统:
提供高效的数据存储和快速访问能力,支持大规模并发操作。
2. 消费类电子产品:
包括智能手机、平板电脑和便携式设备等,为用户提供流畅的使用体验。
3. 工业控制与物联网设备:
在工业自动化和 IoT 设备中,作为嵌入式存储解决方案。
4. 车载电子系统:
用于导航、娱乐和驾驶辅助系统中的数据存储。
5. 数据中心:
提供高密度、低延迟的存储方案,优化整体系统性能。
GA0603A256GBAAT31G, GA0603A64GBAAT31G