WPE26VD3BB 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用 N 沟道技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统效率并降低能耗。
该型号属于 Wolfspeed(原 Cree)公司推出的碳化硅 (SiC) 基功率器件系列,利用 SiC 材料的优异性能,使其在高温、高频和高压环境下表现卓越。
最大漏源电压:1200V
连续漏极电流:26A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:150nC
总电容:95pF
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
WPE26VD3BB 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,适合工业级高压应用;
2. 极低的导通电阻 (Rds(on)),减少传导损耗,提高系统效率;
3. 快速开关速度,支持高频操作;
4. 出色的热稳定性,在极端温度条件下仍能保持高效运行;
5. 碳化硅材料提供更小的体积和更高的功率密度;
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
WPE26VD3BB 广泛应用于以下领域:
1. 新能源汽车中的逆变器和车载充电器;
2. 工业电机驱动及伺服系统;
3. 太阳能光伏逆变器;
4. 不间断电源 (UPS) 和其他高可靠性电源系统;
5. 高频 DC-DC 转换器和 PFC(功率因数校正)电路;
6. 风力发电变流器和其他可再生能源设备。
C3M0026120K, FCP12N120S3