PBSS4021NZ 时间：2025/6/18 21:30:35 阅读：3

PBSS4021NZ是一款N沟道增强型MOSFET，采用超小型SOT-23封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合在空间受限的应用中使用，例如便携式电子设备、电源管理电路和信号切换电路。
　　这款MOSFET以其卓越的性能和紧凑的设计而闻名，能够满足现代电子设计对高效能和小型化的双重要求。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±8V
　　持续漏极电流：2.9A
　　导通电阻：210mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗：460mW
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

PBSS4021NZ拥有非常低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。其小巧的SOT-23封装使其成为对尺寸敏感应用的理想选择。
　　此外，该器件具备出色的热稳定性和耐用性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。快速开关能力使得PBSS4021NZ适合高频开关应用，例如DC-DC转换器和负载开关电路。
　　由于采用了先进的制造工艺，该器件还具备高一致性和可靠性，从而降低了故障风险并延长了使用寿命。

应用

PBSS4021NZ广泛应用于各种领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 消费类电子产品中的电源管理模块，如手机充电器和笔记本适配器。
　　2. 负载开关和信号切换电路，用于保护关键元件免受过流或短路影响。
　　3. 电池管理系统中的充放电控制。
　　4. 小型化DC-DC转换器，提供高效的电压调节功能。
　　5. 各种工业自动化设备中的驱动电路，用于控制电机或其他负载。