时间：2025/8/5 18:25:32
阅读：7
IXTH23N25MB是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率应用，如开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备中。该器件采用了先进的平面技术，提供较高的电流处理能力和较低的导通电阻。IXTH23N25MB封装形式为TO-247，便于安装和散热。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：250V
最大漏极电流(Id)：23A
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω
最大栅源电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247
功率耗散(Pd)：125W
IXTH23N25MB具有优异的电性能和热稳定性，适用于各种高功率密度设计。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备良好的雪崩击穿耐受能力，增强了在高应力条件下的可靠性。
该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减小外部滤波元件的尺寸和成本。IXTH23N25MB的栅极设计优化了驱动电压响应，降低了开关损耗，并减少了电磁干扰(EMI)。
TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高电流负载下仍能维持稳定工作温度。这种封装还便于与散热片或PCB进行热连接，从而实现高效的热管理。
IXTH23N25MB常用于开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、逆变器、电机驱动电路、工业控制系统、LED照明电源以及电池管理系统等场景。其高耐压、大电流和低导通电阻的特性，使其在需要高效率和高可靠性的功率转换系统中表现出色。
IXTH20N25MH1
