PQ12DZ51 是一款由罗姆(Rohm)公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等高频率、高效率的电源管理系统中。该器件采用小型表面贴装封装(如SOP或DFN),适合高密度电路设计。PQ12DZ51具有低导通电阻(Rds(on))和优良的热稳定性,使其在高负载条件下也能保持良好的性能。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(Id):12A
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):12mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):15nC
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:SOP/DFN
PQ12DZ51 的核心特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),仅为12mΩ,这显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率。该器件的漏极电流能力高达12A,使其适用于中高功率应用。此外,其漏源耐压为30V,能够满足多种低压功率转换系统的需求。
另一个关键特性是其栅极电荷(Qg)较低,仅为15nC,有助于减少开关损耗,提高高频工作条件下的性能稳定性。PQ12DZ51还具备良好的热性能,能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作,适应各种恶劣的工作环境。
该MOSFET采用小型表面贴装封装,不仅节省PCB空间,而且便于自动化生产和散热设计。此外,±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的驱动灵活性和抗干扰能力。
PQ12DZ51 主要用于需要高效功率管理的场合,如笔记本电脑、服务器和通信设备中的DC-DC转换器;用于电池供电系统的负载开关控制;以及电机驱动、电源管理模块和电源适配器等应用场景。其高效、小型化的设计也使其成为汽车电子系统中的理想选择,如车载充电器和电源分配系统。
在工业自动化设备中,PQ12DZ51可用于控制高电流负载的开关操作,如继电器、电磁阀和LED照明系统。此外,其低导通电阻和高效率特性也使其在光伏逆变器、UPS(不间断电源)和储能系统中具有良好的应用前景。
SiSS12DN,R6004END,RQ12DZ51