型号：BU4835G-TR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装/包装：SC-70 (SOT-23)
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　检测电压（Vdet）：3.5V（典型值）
　　复位延迟时间：典型值约200ms
　　输出类型：N沟道开漏（N-channel Open Drain）
　　工作电源电压范围：1.0V 至 6.0V
　　静态电流：≤ 1.0μA（典型值）
　　阈值精度：±2.0%（在常温下）
　　输出低电平最大电压：≤ 0.4V（当IOL=1.0mA时）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

BU4835G-TR的核心特性之一是其高精度与高稳定性的电压检测能力。该芯片内置一个经过激光修调的高精度带隙基准源，确保在不同批次和环境条件下仍能维持一致的检测电压性能。其检测电压设定为3.5V，精度可达±2.0%，即使在-40°C至+125°C的宽温度范围内也能保持出色的温漂特性（通常小于±50ppm/°C），从而保障系统在各种恶劣环境下依然能够准确判断电源状态并执行复位操作。这一特性对于工业控制、汽车电子等要求高可靠性的应用场景尤为重要。
　　另一个显著特点是其超低功耗设计。BU4835G-TR的静态电流典型值低于1.0μA，在长期待机或电池供电模式下几乎不增加系统功耗，有助于延长便携式设备的续航时间。同时，其工作电压范围宽达1.0V至6.0V，可广泛适配3.3V、5V甚至部分低至1.8V的系统平台，展现出良好的通用性与灵活性。开漏输出结构支持电平转换功能，允许用户将输出端上拉至不同于芯片供电的逻辑电压，便于与不同电压域的数字电路接口连接。
　　该器件还具备内置复位延时功能，无需外接RC延时元件即可实现约200ms的复位脉冲宽度。这不仅简化了外围电路设计，减少了PCB面积占用，也提高了系统的整体可靠性——避免因外部电容老化或参数偏差导致的复位时间漂移问题。此外，其快速响应能力和强抗干扰设计使其能在电源瞬态跌落或电磁干扰环境下仍保持稳定工作，防止误触发或漏触发。SC-70封装体积小巧（仅2.1mm×1.3mm），适合高密度布局的现代电子产品。

BU4835G-TR广泛应用于各类需要稳定复位信号的电子系统中。在消费类电子产品中，如智能手表、无线耳机、便携式医疗设备和智能家居控制器，该芯片凭借其小尺寸和低功耗优势，成为理想的上电复位解决方案。在工业自动化领域，用于PLC模块、传感器节点、数据采集终端等设备中，确保微处理器在复杂电磁环境中可靠启动。在汽车电子方面，尽管该型号并非车规级AEC-Q100认证产品，但在部分车载辅助系统（如行车记录仪、车载娱乐子系统）中也有应用，前提是符合实际工作条件要求。
　　此外，该器件适用于通信设备中的嵌入式控制器复位保护，例如路由器、交换机、IoT网关等网络设备，在电源上电或电压波动时提供可靠的复位信号。在电池管理系统（BMS）中，可用于监控主控MCU的供电状态，防止低电压下误操作导致电池过放或安全风险。由于其开漏输出兼容性强，也可用于多电压域系统中作为跨电压复位信号传递元件。
　　在嵌入式开发板和模块化设计中，BU4835G-TR常被用作标准复位芯片，替代分立RC复位电路，提升系统启动的一致性和稳定性。其无需外部延时元件的特点极大简化了设计流程，降低了生产成本和故障率。总体而言，任何需要高可靠性、低功耗、小体积电压检测与复位功能的应用场景，都是BU4835G-TR的理想选择。

BU4835F-TR
　　BD4835G