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SE06F10B7.0A 发布时间 时间:2025/6/5 10:21:54 查看 阅读:8

SE06F10B7.0A是一种高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效提高系统效率并减少能耗。
  其封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产和优化PCB布局。

参数

型号:SE06F10B7.0A
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):7mΩ
  栅极电荷(Qg):35nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

SE06F10B7.0A的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高电流承载能力,确保在重载条件下稳定运行。
  4. 优秀的热性能,有助于延长器件寿命。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 小型化封装设计,节省空间并简化布局。

应用

SE06F10B7.0A适用于以下应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  3. 各类电机驱动,例如直流无刷电机控制。
  4. 负载开关和电源管理模块。
  5. 工业自动化设备中的功率转换与控制。
  6. 汽车电子领域,如车载充电器和逆变器。

替代型号

SE06F10B7.1A, IRF540N, AO3400

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