时间：2025/9/14 8:19:04
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PBSS303PZ,135 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 P 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺制造，具有低导通电阻、高功率密度和良好的热稳定性，适合用于 DC-DC 转换器、电池供电设备和负载开关等场景。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：30 V
栅源电压 Vgs：±20 V
连续漏极电流 Id（在 25°C）：-4.1 A
导通电阻 Rds(on)（最大值）：80 mΩ（在 Vgs = -10 V）
导通电阻 Rds(on)（典型值）：60 mΩ（在 Vgs = -10 V）
功率耗散（最大值）：1.4 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOT363（DFN1006BD-6）
PBSS303PZ,135 具备多项优良特性，使其在电源管理领域中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流工作条件下，功率损耗最小化，从而提高系统效率。其次，该 MOSFET 在 -10 V 的栅极电压下表现出优异的导通性能，同时具有良好的热稳定性，适用于高密度功率设计。
该器件采用 DFN1006BD-6 封装，具有小型化和高功率密度的特点，适合空间受限的设计。此外，其封装设计有助于提高散热效率，延长器件使用寿命。
PBSS303PZ,135 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态负载条件下保持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 -20 V 至 0 V 的范围内工作，适用于多种控制电路设计。由于其低输入电容和快速开关特性，该 MOSFET 可用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流电路。
此外，PBSS303PZ,135 的制造工艺符合 RoHS 环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代电子制造的环保要求。
PBSS303PZ,135 主要应用于需要高效率和高稳定性的电源管理系统中。常见应用场景包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电源管理模块以及电机驱动电路。此外，该器件还可用于电源适配器、便携式电子设备和工业控制系统中的功率控制环节。
在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，PBSS303PZ,135 可作为高效的负载开关，实现电源管理的精确控制，延长电池使用寿命。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于实现高效的电压转换，提高整体系统的能量利用率。同时，由于其快速开关特性和低导通电阻，也适用于高频率的开关电源设计，如同步整流电路和负载点电源（PoL）系统。
Si4435DY-T1-E3, FDC6303P, BUK9M56-30PC
