VJ1210A102MXGAT5Z 是一种基于陶瓷材料的多层片式电容器(MLCC),广泛应用于高频电路中。该型号属于 C0G (NP0) 温度特性系列,具有高稳定性和低损耗的特点,适用于对频率稳定性要求较高的场景。
这类电容器采用先进的制造工艺,确保其在宽温度范围内具备卓越的电气性能和机械强度。它符合 RoHS 标准,适合用于各种消费类电子、通信设备及工业控制领域。
电容值:10pF
额定电压:100V
尺寸:1210英寸
温度特性:C0G/NP0
封装类型:表面贴装
公差:±0.05pF
直流偏置特性:无显著变化
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
VJ1210A102MXGAT5Z 具有以下关键特性:
1. 稳定性高:C0G 温度特性使其在 -55°C 到 +125°C 的温度范围内,电容值变化极小,误差不超过 ±30ppm/°C。
2. 损耗低:介质损耗角正切值极低,在高频下表现尤为突出。
3. 高可靠性:产品经过严格的质量检测,适合长时间运行的高可靠性应用。
4. 耐高压:额定电压为 100V,能够承受较高电压而不影响性能。
5. 小型化设计:采用 1210 英寸封装,节省 PCB 空间,满足现代电子设备小型化需求。
6. 抗直流偏置性能优异:即使施加直流电压时,电容值也不会发生显著下降。
该型号电容器适用于多种高频电路环境,具体应用场景包括:
1. 振荡器与滤波器:用于射频信号处理中的振荡和滤波电路,确保信号纯度。
2. 时钟电路:作为晶体振荡器旁路电容,提升时钟信号稳定性。
3. 数据传输线路:在高速数据传输链路中用作耦合或去耦电容。
4. 工业设备:如医疗仪器、测试测量装置等需要高精度和稳定性的场合。
5. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑和无线通信模块中的高频部分。
VJ1210A102MXGAT5R, VJ1210A102MJGAT5Z