类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：11A
　　最大漏-源电压 (Vds)：100V
　　最大栅-源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：0.32Ω @ Vgs = 10V
　　栅极电荷 (Qg)：40nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220

MAN-11AD 具备低导通电阻的特性，这使得在高电流条件下，其功耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。由于其导通电阻在 0.32Ω 左右，它在中高功率应用中表现良好，尤其是在需要频繁开关操作的场景下。该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行，其最大工作温度可达 175°C，这对于工业级应用至关重要。
　　此外，MAN-11AD 的栅极电荷较低，约为 40nC，这意味着它在高频开关应用中具有较快的响应速度，从而减少了开关损耗。其栅-源电压耐受范围为 ±20V，提供了良好的驱动兼容性，适用于多种门极驱动电路。该 MOSFET 还具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏。
　　从封装角度来看，TO-220 封装不仅具备良好的散热能力，还便于安装和使用。它在 PCB 设计中通常采用通孔焊接方式，能够承受较高的机械应力。因此，MAN-11AD 适用于需要长期稳定运行的工业控制、电源管理以及电机驱动系统。

MAN-11AD 通常用于中高功率的开关电源（SMPS）设计，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。它也常用于电机控制和 H 桥电路，特别是在工业自动化设备中用于控制直流电机的速度和方向。此外，该器件还可用于电池管理系统、逆变器、UPS（不间断电源）系统、照明控制（如 HID 灯具）以及太阳能逆变器等应用。其高耐压和良好的导通性能使其在需要高可靠性和高效率的系统中表现出色，特别是在高温和高负载环境下仍能保持稳定运行。

IRF540N, FQP11N10L, STP11NK10Z, NTD11N10L