时间：2025/5/7 12:42:39
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AON6718L 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，非常适合在高效率电源转换和负载开关应用中使用。
这款 MOSFET 的封装形式为 LFPAK56E（PowerSO-8），适合表面贴装技术（SMT），并提供极佳的电气和散热性能，同时支持高密度电路板设计。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：29A
导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：105nC（典型值）
输入电容：3350pF（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK56E
AON6718L 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，能够有效降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常情况下也能安全运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无卤素材料。
5. 适用于高密度 PCB 设计，具有良好的散热性能。
6. 提供卓越的可靠性和稳定性，能够在极端温度范围内正常工作。
AON6718L 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动和电池管理系统的功率级开关。
4. 计算机和服务器的多相 VRM（电压调节模块）。
5. 工业设备中的负载开关和保护电路。
6. 消费类电子产品中的高效功率控制解决方案。
AON6719L, AON6717L
