时间：2025/5/30 18:37:52
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AMK212BC6226MD-T 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和快速开关的特点，适合需要高电流承载能力及低功耗的应用环境。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件，通过优化设计降低了栅极电荷和输出电容，从而提高了整体性能并简化了电路设计。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大连续漏极电流(Id)：135A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
栅极电荷(Qg)：49nC
总电容(Ciss)：2470pF
工作温度范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3L
AMK212BC6226MD-T 的主要特点是其超低的导通电阻，仅为1.8mΩ，这使得它在大电流应用中表现出色，并显著降低功耗。
此外，该器件还具备较高的雪崩耐量能力，增强了系统的可靠性。其快速开关特性和较低的栅极电荷使其非常适合高频应用环境。
同时，该芯片支持较宽的工作温度范围（-55℃至+175℃），确保在极端条件下的稳定运行。此外，其坚固耐用的设计有助于提高整个系统的抗干扰能力和使用寿命。
AMK212BC6226MD-T 适用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
- 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管
- 电机驱动中的功率级元件
- 汽车电子系统中的负载切换与保护
- 工业控制设备中的功率转换模块
- 太阳能逆变器及其他新能源相关设备中的功率管理单元
- 高效DC/DC转换器中的关键组件
其优异的电气性能和散热能力使其成为许多高功率密度应用的理想选择。
AMK212BC6225MD-T
IRFP2907
FDP18N6S
IXFH14N50P
STP160N10F5
