型号：K9LAG08UOB-PCBO
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　工艺技术：3D V-NAND
　　存储容量：8Gb (1GB)
　　组织结构：单芯片封装（Single Die）
　　接口类型：ONFI 2.3 兼容，支持 Toggle Mode DDR
　　数据速率：支持高达400MT/s（每通道）
　　供电电压：Vcc = 2.7V ~ 3.6V（核心与I/O），VccQ = 1.7V ~ 1.95V（I/O电压）
　　封装类型：BGA，153球
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程时间典型值：约200μs（页编程）
　　擦除时间典型值：约2ms（块擦除）
　　耐久性：每个块支持约3,000次P/E（Program/Erase）周期
　　数据保持时间：室温下可达10年

K9LAG08UOB-PCBO 采用了三星先进的3D V-NAND技术，通过将存储单元在垂直方向上堆叠多层，显著提升了存储密度并降低了单位成本，同时避免了传统平面NAND在微缩过程中遇到的物理极限问题。该芯片基于Toggle DDR接口协议，能够在时钟的上升沿和下降沿都进行数据传输，从而实现双倍数据速率，有效提升数据吞吐量，适用于需要频繁读写操作的高性能应用场景。其内部集成了高效的控制逻辑，支持异步命令执行、缓存编程、随机数据输入等多种高级功能，可优化系统整体性能。
　　为了保障数据完整性与可靠性，该器件内置了强健的错误检测与纠正机制（ECC），能够实时识别并修复多位错误，防止因位翻转或噪声干扰导致的数据损坏。此外，它还具备完善的坏块管理策略，在出厂时即标记初始坏块，并在使用过程中动态跟踪新产生的坏块，确保始终访问健康的存储区域。磨损均衡算法被用于均匀分布写入操作，避免某些区块过度使用而提前失效，从而延长整个存储设备的生命周期。
　　该芯片支持多种电源管理模式，包括待机模式、深度睡眠模式等，可在空闲期间大幅降低功耗，特别适合电池供电的移动设备。其I/O电压独立供电设计（VccQ）允许与不同逻辑电平的主控处理器直接连接，增强了系统设计的灵活性。封装采用153-ball BGA，具有良好的电气性能和热稳定性，便于高密度PCB布局。总体而言，K9LAG08UOB-PCBO 在性能、可靠性与能效之间实现了良好平衡，是现代嵌入式存储系统的理想选择之一。

K9LAG08UOB-PCBO 广泛应用于需要高可靠性与高性能的嵌入式存储解决方案中，常见于智能手机、平板电脑、超薄笔记本电脑等消费类电子产品中的eMMC或UFS模块底层存储单元。此外，该芯片也适用于工业级固态硬盘（SSD）、车载信息娱乐系统、网络通信设备以及监控存储设备等领域。由于其具备宽温工作能力和较强的抗干扰特性，可在恶劣环境条件下稳定运行，因此也被用于工业自动化控制系统和户外电子设备中。在数据中心边缘计算节点或本地缓存存储中，该器件可作为临时数据缓冲区使用，提升系统响应速度。同时，得益于其小尺寸封装和低功耗特性，非常适合空间受限且注重续航能力的便携式医疗设备、智能穿戴装置和物联网终端设备。结合主控芯片与适当的固件算法，K9LAG08UOB-PCBO 可构建出支持快速启动、高速文件读写和长期数据保存的完整存储子系统，满足多样化应用需求。

K9LBG08UOM-PCBO
　　K9KAG08U5M-PCBO
　　TC58LGV1EA10TAI