时间：2025/8/25 1:33:51
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FQP27N10 是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率、高速开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极连续电流（ID）：27A（在TC=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：最大值65mΩ（典型值50mΩ）
功耗（PD）：160W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-262（D2Pak）
FQP27N10具备低导通电阻特性，使其在导通状态下功耗较低，提高了系统的整体效率。该器件的高电流承载能力和良好的热性能使其适用于高负载条件下的工作环境。此外，其高耐压能力（100V）可确保在高压应用中稳定运行。FQP27N10采用了先进的平面工艺技术，具有良好的雪崩能量吸收能力，从而提高了器件的可靠性和耐用性。其TO-262封装形式支持表面贴装（SMT）工艺，适用于自动化生产流程。该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流电路。此外，其栅极驱动电压范围宽（通常为4.5V至10V），兼容多种驱动器IC，增强了设计灵活性。
FQP27N10 常用于电源管理领域，如AC-DC适配器、DC-DC转换器、同步整流模块、负载开关和电池充电器。此外，它也可用于电机控制、功率放大器、照明驱动器以及各种工业和消费类电子设备中的功率开关电路。
IRFZ44N, FDP27N10, FQP24N10
