时间：2025/6/9 18:45:16
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P60N03LDG 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。该器件适用于多种开关和功率转换应用，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。
这款 MOSFET 的设计使其能够适应高效率的应用场景，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等。其出色的性能参数使得它成为需要高功率密度和低损耗解决方案的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：60A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：27nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-252
P60N03LDG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，从而降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 高额定电流支持重载条件下的稳定运行。
4. 较小的封装尺寸，有助于优化 PCB 布局。
5. 优异的热性能，确保在极端环境下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 各种类型的电机驱动电路。
3. 电池保护和负载切换。
4. 工业控制和自动化设备。
5. 汽车电子中的大电流管理。
6. LED 照明驱动和调光控制。
IRLZ44N
AO3400
FDP5500
