类型：射频开关
　　频率范围：DC 至 4 GHz
　　工作电压：2.7V 至 5.5V
　　插入损耗：典型值 0.4 dB（频率范围 2 GHz）
　　隔离度：典型值 35 dB（频率范围 2 GHz）
　　切换时间：典型值 10 ns
　　输出功率：最大 28 dBm
　　封装类型：QFN（四方扁平无引线）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　控制接口：CMOS 兼容

MSM8655-1-904PNSP-TR-04-1 是一款高性能射频开关 IC，采用先进的 GaAs 技术制造，提供出色的射频性能和稳定性。该器件具有低插入损耗和高隔离度，可在高频范围内提供优异的信号完整性。其宽频带特性使其适用于多种射频系统，包括 2G、3G 和 4G 蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙和其他无线应用。此外，该器件具有快速切换时间，确保在多频段或多模式通信系统中实现高效切换。其 CMOS 兼容控制接口简化了与数字控制器的连接，同时其宽工作电压范围（2.7V 至 5.5V）使其适用于多种电源配置。该器件采用 QFN 封装，具有小尺寸和良好的热管理能力，适用于高密度 PCB 设计。
　　在性能方面，MSM8655-1-904PNSP-TR-04-1 提供高达 28 dBm 的输出功率处理能力，适合用于高功率射频前端模块。其高隔离度特性有助于减少不同射频路径之间的干扰，提高整体系统性能。此外，该器件的高稳定性和可靠性使其在严苛的环境条件下（如高温或低温）仍能保持稳定工作，适用于工业级和汽车级应用。

该器件广泛应用于蜂窝通信系统（如 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE）、Wi-Fi 和蓝牙模块、射频前端开关矩阵、无线基础设施设备、移动终端设备（如智能手机和平板电脑）以及测试和测量设备。此外，该 IC 也可用于多输入多输出（MIMO）天线切换、射频信号路由和射频收发器前端设计。其高频特性使其成为现代无线通信系统中不可或缺的组件之一。

HMC649ALP3E, SKY13370-396LF, PE4259, RF1218