时间：2025/9/22 12:33:31
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MB82DBS02163F70LTBGERE1是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的高性能、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于其高速异步SRAM产品线中的一员。该器件专为需要高可靠性和稳定数据存取能力的应用而设计，广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络基础设施以及高端嵌入式系统中。这款SRAM采用先进的CMOS制造工艺，具备出色的抗干扰能力和温度稳定性，能够在宽温范围内可靠运行，适用于严苛的工作环境。该型号的封装形式为BGA（球栅阵列），有助于在高密度PCB布局中实现紧凑的设计，同时提供良好的电气性能和散热特性。MB82DBS02163F70LTBGERE1支持低压操作，符合现代电子产品对节能和绿色设计的要求，并通过了多项工业级认证，确保长期供货和应用可靠性。作为一款商用与工业级兼容的存储器解决方案，它在数据缓冲、缓存存储和实时处理场景中表现出色，是许多关键任务系统中的理想选择。此外，该器件还具备出色的可制造性，支持自动化贴片和回流焊工艺，便于大规模生产使用。
制造商：Renesas Electronics
产品系列：SyncBurst SRAM
存储容量：2 Mbit (256K x 8)
工作电压：1.7V ~ 1.9V
访问时间：7 ns
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：BGA-60
接口类型：并行异步
时钟频率：最高支持143 MHz
读写模式：异步读写
输入/输出电平：LVTTL兼容
封装尺寸：8mm x 10mm
引脚数量：60
刷新模式：无需刷新（SRAM特性）
组织结构：256K x 8位
最大静态电流：≤ 5 mA
最大动态电流：≤ 120 mA @ 100 MHz
该SRAM芯片采用先进的同步突发（SyncBurst）架构设计，能够在连续数据访问中显著提升传输效率，特别适合需要高频次、大批量数据交换的应用场景。其核心优势在于极短的访问时间——仅7纳秒，这使得处理器或控制器能够以接近零延迟的方式读取或写入数据，极大提升了系统的响应速度和整体性能。此外，该器件支持低电压工作范围（1.7V至1.9V），不仅降低了系统功耗，也减少了热耗散问题，有利于在高集成度板卡上实现更稳定的运行。
MB82DBS02163F70LTBGERE1具备完整的LVTTL电平兼容性，可无缝对接多种主流微处理器、FPGA和ASIC等逻辑器件，简化了系统设计中的电平匹配难题。其内部电路经过优化，具有优异的噪声抑制能力，在电磁干扰较强的工业环境中仍能保持数据完整性。所有直流和交流参数均在全温度范围内严格测试，确保从低温启动到高温满载运行期间的一致性与可靠性。
该器件采用60球BGA封装，具有较小的占板面积和优良的散热性能，适用于空间受限但性能要求高的应用场景。封装材料符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环境友好型组件的需求。内部结构采用双 bank 架构设计，支持交错访问，进一步提升了带宽利用率。此外，该SRAM不需刷新操作，避免了DRAM常见的刷新开销和复杂控制逻辑，从而简化了系统软件设计和硬件时序控制。
为了增强系统鲁棒性，该芯片集成了上电复位（POR）功能和自动低功耗待机模式。当处于非活动状态时，可通过使能睡眠模式将功耗降至微安级别，非常适合电池供电或间歇性工作的设备。所有控制信号均带有施密特触发输入，提高了对信号抖动和噪声的容忍度，确保在长距离布线或信号质量不佳的情况下依然稳定工作。
该器件广泛应用于需要高速、低延迟数据存储的场合，典型用途包括网络路由器和交换机中的帧缓冲区、电信基站的信令处理单元、工业PLC的数据暂存区、测试测量仪器的采样缓存、医疗成像设备的图像预处理模块等。由于其高可靠性和宽温特性，也常用于户外通信设备、车载信息终端及轨道交通控制系统中。
在FPGA加速平台或DSP信号处理系统中，MB82DBS02163F70LTBGERE1可作为协处理器的本地内存，用于临时存放中间计算结果或配置参数，有效缓解主控芯片的内存压力。其快速异步接口允许直接连接到外部总线，无需复杂的桥接芯片，降低了系统复杂度和成本。
此外，该SRAM还可用于固件更新过程中的临时代码存储、实时操作系统（RTOS）的任务调度表维护、高速数据采集系统的环形缓冲区构建等场景。对于需要长期稳定运行且不允许数据丢失的关键系统，该器件的非易失性虽不如Flash，但其无限次读写能力和即时访问特性使其成为不可或缺的辅助存储元件。
CY7C1061KV33-7ZXC
