时间：2025/9/4 7:10:49
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BM28N0.6-44DS/2-0.35V(51) 是一款由ROHM（罗姆）公司制造的功率MOSFET晶体管，主要用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及其他需要高电流和低导通电阻的应用场合。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，以实现更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的效率。该型号封装为DSOP（双列小外形封装），具备良好的热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：28A
漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.6Ω（最大值）
功率耗散（PD）：35W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DSOP
引脚数：8
栅极电荷（Qg）：20nC
输入电容（Ciss）：950pF
过渡频率（fT）：120MHz
BM28N0.6-44DS/2-0.35V(51) 的主要特性包括其低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，使其在高效率电源系统中表现优异。由于采用了ROHM专有的沟槽栅极技术，该MOSFET在导通状态下的电压降更低，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高功率密度应用中保持稳定工作。其DSOP封装设计有助于优化PCB布局，并提供良好的散热性能。
另一个关键特性是其高耐压能力，VDS达到60V，使其适用于多种中高功率应用。栅极驱动电压范围宽（±20V），支持快速开关操作，从而降低开关损耗。同时，其较低的栅极电荷（Qg）有助于提高开关速度并减少驱动电路的负担，适用于高频开关电源设计。
BM28N0.6-44DS/2-0.35V(51) 主要应用于各种高效率电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器和放电控制器。此外，它还可用于工业自动化设备中的电源开关模块、LED照明驱动电路以及车载电子系统中的功率管理模块。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410AS, IRFZ44N, AO4410
