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BM28N0.6-44DS/2-0.35V(51) 发布时间 时间:2025/9/4 7:10:49 查看 阅读:4

BM28N0.6-44DS/2-0.35V(51) 是一款由ROHM(罗姆)公司制造的功率MOSFET晶体管,主要用于高效率电源转换系统,如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及其他需要高电流和低导通电阻的应用场合。该器件采用了先进的沟槽栅极技术,以实现更低的导通电阻(Rds(on))和更高的效率。该型号封装为DSOP(双列小外形封装),具备良好的热管理和电气性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):28A
  漏极-源极击穿电压(VDS):60V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.6Ω(最大值)
  功率耗散(PD):35W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:DSOP
  引脚数:8
  栅极电荷(Qg):20nC
  输入电容(Ciss):950pF
  过渡频率(fT):120MHz

特性

BM28N0.6-44DS/2-0.35V(51) 的主要特性包括其低导通电阻(Rds(on))和高电流能力,使其在高效率电源系统中表现优异。由于采用了ROHM专有的沟槽栅极技术,该MOSFET在导通状态下的电压降更低,从而减少了导通损耗并提高了整体效率。此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在高功率密度应用中保持稳定工作。其DSOP封装设计有助于优化PCB布局,并提供良好的散热性能。
  另一个关键特性是其高耐压能力,VDS达到60V,使其适用于多种中高功率应用。栅极驱动电压范围宽(±20V),支持快速开关操作,从而降低开关损耗。同时,其较低的栅极电荷(Qg)有助于提高开关速度并减少驱动电路的负担,适用于高频开关电源设计。

应用

BM28N0.6-44DS/2-0.35V(51) 主要应用于各种高效率电源管理系统,包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器和放电控制器。此外,它还可用于工业自动化设备中的电源开关模块、LED照明驱动电路以及车载电子系统中的功率管理模块。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410AS, IRFZ44N, AO4410

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BM28N0.6-44DS/2-0.35V(51)参数

  • 现有数量0现货
  • 价格20,000 : ¥4.67454卷带(TR)
  • 系列BM28
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 连接器类型插座,中央带触点
  • 针位数44
  • 间距0.014"(0.35mm)
  • 排数2
  • 安装类型表面贴装型
  • 特性固定焊尾
  • 触头表面处理镀金
  • 触头表面处理厚度1.97μin(0.050μm)
  • 接合堆叠高度0.6mm
  • 板上高度0.024"(0.61mm)