产品型号：P2004EV
　　制造商：Power Integrations
　　系列：InnoSwitch4-PRO
　　拓扑结构：准谐振反激式
　　集成开关：是
　　开关类型：MOSFET
　　功率 - 输出：最高45 W
　　输入电压范围：85 VAC 至 265 VAC
　　工作频率：100 kHz 典型值
　　控制模式：多模式（CC/CV）
　　启动时间：典型值 < 1 秒
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：InSOP-24D
　　引脚数：24
　　安装方式：表面贴装
　　同步整流：支持
　　反馈机制：FluxLink? 数字磁感通信
　　保护功能：OVP, OCP, OTP, SCP, UVLO
　　认证：符合UL, TUV, EN62368等安全标准

P2004EV的核心优势在于其高度集成化的设计与先进的控制算法相结合，使其在低功率AC-DC电源中表现出卓越的性能。该器件采用了多模式准谐振（QR）反激控制技术，可根据负载条件自动在连续导通模式（CCM）、不连续导通模式（DCM）和边界导通模式（BCM）之间切换，以优化不同负载下的转换效率。特别是在中等至满载条件下，QR模式利用谷底开关技术，使MOSFET在漏源电压最低点导通，显著降低了开关损耗，提升了整体能效。这种智能模式切换策略不仅提高了效率，还有效减少了电磁干扰（EMI），简化了EMI滤波电路的设计。
　　另一个关键特性是其内置的FluxLink?隔离数字通信技术。传统电源通常依赖光耦合器来实现次级侧反馈信号的隔离传输，但光耦存在老化、温度漂移和可靠性下降等问题。P2004EV通过FluxLink?技术直接在初级和次级控制器之间进行高速、双向的磁感应通信，消除了光耦的使用，从而提高了长期可靠性并节省了PCB空间。该技术还能实现精确的恒压（CV）和恒流（CC）调节，精度可达±3%，即使在输入电压或负载变化时也能保持稳定的输出性能。
　　同步整流（SR）功能也是P2004EV的一大亮点。它驱动次级侧的MOSFET代替传统的肖特基二极管进行整流，大幅降低了导通损耗，尤其是在低输出电压应用中效果显著。结合初级侧的高效控制，整体系统效率可超过94%。此外，P2004EV集成了完善的保护机制，包括逐周期电流限制、自动恢复的过载和短路保护、迟滞热关断以及输入欠压/过压锁定功能，确保电源在各种异常工况下安全运行。所有这些功能都被集成在一个紧凑的InSOP-24D封装内，具有增强的爬电距离和电气隔离能力，满足加强绝缘要求，适用于全球各类安全认证标准。

P2004EV广泛应用于对效率、尺寸和可靠性有较高要求的低功率AC-DC电源系统中。典型应用场景包括家用电器中的微波炉、洗衣机、空调等内部辅助电源；工业自动化设备中的PLC、传感器供电模块和继电器驱动电源；智能楼宇控制系统如门禁、照明控制和温控器的嵌入式电源；以及网络通信设备中的路由器、交换机和IP摄像头的适配器设计。由于其出色的轻载效率和极低的待机功耗，P2004EV也特别适合用于需要长时间待机的物联网（IoT）设备和智能家居产品，如语音助手、智能插座和无线网关等。
　　此外，P2004EV的高集成度和无需光耦的设计使其非常适合用于空间受限的密闭环境或恶劣工业环境中，减少元件数量的同时提升了系统长期运行的稳定性。在医疗设备领域，一些非侵入式低功率诊断仪器或便携式监护仪也可采用P2004EV构建符合安全隔离标准的电源方案。其支持多种输出配置（单路或多路输出），并可通过外部电阻灵活设定输出电压和电流，适应多样化的终端需求。同时，该芯片符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。凭借其高效率、高可靠性及易于设计的特点，P2004EV已成为替代传统反激控制器+光耦+独立SR控制器组合的理想选择。

INN3378CQ-H111