时间：2025/7/23 6:01:14
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STU27N3LH5 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻和高效率的特性。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、负载开关以及各种功率转换设备中。STU27N3LH5采用TO-220封装，适用于高电流和高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：27A（最大值）
漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为3.2mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C至+175°C
STU27N3LH5 采用先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现优异，能够有效降低功耗并减少发热。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和耐久性，适用于高温环境下的稳定运行。
该器件的封装设计（TO-220）具有良好的散热性能，能够承受较高的功率密度。STU27N3LH5还具备快速开关能力，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器等。其栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至10V），可与多种驱动电路兼容。
另外，STU27N3LH5具有良好的短路和过载承受能力，能够在极端工况下提供可靠的保护性能。其雪崩能量等级较高，能够承受一定的过电压冲击，提高了系统的安全性和稳定性。
STU27N3LH5 常用于各种功率电子设备中，如电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等。在汽车电子领域，它可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等应用。此外，STU27N3LH5也适用于工业自动化设备、服务器电源和太阳能逆变器等高可靠性应用场景。
STP27N3LH5, FDP27N3LH, IRF27N3LH
