时间：2025/6/5 12:35:50
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SI4812BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET 芯片。该芯片主要应用于需要高效能开关和低导通电阻的场景，例如电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其采用小型化的 Trench 技术制造，具有出色的电气性能和热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻（典型值）：12mΩ
栅极电荷：17nC
开关速度：快速
封装类型：SOT-23
SI4812BDY-T1-E3 的特点是具备非常低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外，它还拥有较小的栅极电荷，有助于实现快速开关操作，降低开关损耗。芯片的小型化封装 SOT-23 使其非常适合空间受限的应用场合。
同时，这款 MOSFET 具备高雪崩击穿能力，能够在异常条件下提供额外的保护功能。在设计中使用 SI4812BDY-T1-E3 可以显著提升系统的整体性能和可靠性。
该芯片适用于多种应用领域，包括但不限于消费类电子产品的负载开关、通信设备中的电源管理模块、工业控制系统的电机驱动电路、便携式设备中的电池管理单元等。此外，由于其高效能表现，也广泛用于 DC-DC 转换器的设计中。
SI4826DY, SI4402DY
