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SI4812BDY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/5 12:35:50 查看 阅读:26

SI4812BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET 芯片。该芯片主要应用于需要高效能开关和低导通电阻的场景,例如电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其采用小型化的 Trench 技术制造,具有出色的电气性能和热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:5.4A
  导通电阻(典型值):12mΩ
  栅极电荷:17nC
  开关速度:快速
  封装类型:SOT-23

特性

SI4812BDY-T1-E3 的特点是具备非常低的导通电阻,从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外,它还拥有较小的栅极电荷,有助于实现快速开关操作,降低开关损耗。芯片的小型化封装 SOT-23 使其非常适合空间受限的应用场合。
  同时,这款 MOSFET 具备高雪崩击穿能力,能够在异常条件下提供额外的保护功能。在设计中使用 SI4812BDY-T1-E3 可以显著提升系统的整体性能和可靠性。

应用

该芯片适用于多种应用领域,包括但不限于消费类电子产品的负载开关、通信设备中的电源管理模块、工业控制系统的电机驱动电路、便携式设备中的电池管理单元等。此外,由于其高效能表现,也广泛用于 DC-DC 转换器的设计中。

替代型号

SI4826DY, SI4402DY

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SI4812BDY-T1-E3参数

  • 数据列表SI4812BDY
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 9.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4812BDY-T1-E3TR