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FDV302P_NB8V001 发布时间 时间：2023/12/19 17:55:23 查看 阅读：128

产品种类：MOSFET小信号

目录

概述

制造商：FairchildSemiconductor
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：Single
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：25V
闸/源击穿电压：8V
漏极连续电流：0.12A
功率耗散：350mW
最大工作温度：+150℃

安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOT-23-3
封装：Reel
最小工作温度：-55℃

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FDV302P_NB8V001参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C10 欧姆 @ 200mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.31nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds11pF @ 10V
  • 功率 - 最大350mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDV302P_NB8V001-NDFDV302P_NB8V001TR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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