型号：DMN2016LHAB
　　类型：P沟道MOSFET
　　连续漏极电流（ID）：-1.6A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：-20V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-0.85V ~ -1.4V
　　导通电阻（RDS(on)）：75mΩ @ VGS = -4.5V；105mΩ @ VGS = -2.5V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　功耗（Ptot）：300mW
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

DMN2016LHAB具备优异的导通特性，其低导通电阻是其核心优势之一。在VGS = -4.5V条件下，RDS(on)典型值仅为75mΩ，而在更低的驱动电压VGS = -2.5V下仍能保持105mΩ的低阻状态，这使得该器件在电池供电系统中能够显著降低传导损耗，提升整体能效。这种低RDS(on)特性尤其适用于需要频繁开关操作的负载管理电路，如电源开关、热插拔控制和背光驱动等应用场景。此外，由于采用了先进的沟槽式MOSFET制造工艺，该器件在实现低导通电阻的同时也有效抑制了寄生电容，从而提升了开关速度并减少了动态功耗。这对于高速数字系统或需要快速响应的电源控制回路尤为重要。
　　另一个显著特点是其良好的栅极驱动兼容性。DMN2016LHAB的栅源阈值电压范围为-0.85V至-1.4V，意味着它可以轻松被3.3V或1.8V逻辑信号直接驱动，无需外加电平移位器或驱动电路，极大简化了外围设计。这一特性使其非常适合集成在高度集成的便携式设备中，例如移动电源、蓝牙耳机和智能手表等产品中用于电池隔离或电源路径选择。同时，±12V的最大栅源电压额定值提供了足够的安全裕度，防止因误操作或瞬态电压尖峰导致的栅氧化层击穿，提高了长期使用的可靠性。
　　热性能方面，尽管DMN2016LHAB采用的是小型SOT-23封装，但其300mW的功率耗散能力和高达+150°C的最大结温表明其具备良好的散热表现。在合理布局PCB并提供适当铜箔面积的情况下，该器件可在较高环境温度下稳定运行，满足大多数工业和消费类应用的需求。此外，器件内部结构经过优化，具有较强的抗ESD能力，增强了在自动化装配和现场使用过程中的耐受性。综合来看，DMN2016LHAB以其高性价比、小尺寸和稳定可靠的电气性能，成为现代低功耗电子系统中不可或缺的关键元件之一。

DMN2016LHAB广泛应用于各类低电压、低功耗的便携式电子设备中，主要用于电源管理与信号切换功能。在移动设备如智能手机和平板电脑中，常用于电池供电路径的通断控制，实现主电池与备用电源之间的切换，或在系统休眠时切断非关键模块的供电以节省能耗。此外，该器件也被用作负载开关，控制显示屏背光、摄像头模组或其他外设的电源供应，避免上电过程中出现浪涌电流影响系统稳定性。
　　在可穿戴设备领域，如智能手环、TWS耳机等对空间要求极为严苛的产品中，DMN2016LHAB的小型SOT-23封装和低功耗特性使其成为理想的电源开关解决方案。它可以在MCU的GPIO直接驱动下完成电源通断操作，无需额外驱动电路，从而节省布板空间并降低成本。同时，在USB接口的电源管理中，该MOSFET可用于过流保护和热插拔控制，确保设备在连接外部电源或充电器时的安全性。
　　工业控制和通信模块中，DMN2016LHAB可用于隔离不同功能单元的供电，实现按需供电策略，延长整体系统续航时间。例如在IoT节点设备中，传感器模块可以仅在数据采集时被激活，其余时间处于断电状态，此时该MOSFET作为开关元件起到关键作用。此外，它还可用于反向电流阻断、OR-ing电路设计以及电池反接保护电路中，提升系统的安全性和可靠性。总之，凡是需要高效、小型化且低成本的P沟道开关方案的场合，DMN2016LHAB都是一个非常合适的选择。

DMG2301U

SOT-23