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IXTQ90N15T 时间：2024/9/6 14:37:14 阅读：451

技术参数

极性:N-CH
　　耗散功率:455W(Tc)
　　漏源极电压(Vds):150 V
　　连续漏极电流(Ids):90A
　　输入电容(Ciss):4100pF 25V(Vds)
　　耗散功率(Max):455W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
　　封装:TO-3-3

物理参数

工作温度:-55℃~175℃(TJ)

IXTQ90N15T推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

IXTQ90N15T
深圳市金灿利电子科技有限公司
168000
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市奥利腾科技有限公司
20000
IXYS
22+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市郓州科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
2024+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市华睿芯科技有限公司
20000
XILINX
2023+/-

IXTQ90N15T
深圳市科鑫美电子有限公司
28683
IXYS
21+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市跃创芯科技有限公司
30000
IXYS/艾赛斯
2022+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市安富世纪电子有限公司
6000
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ90N15T
无锡固电半导体股份有限公司
5000
isc/固电半导体
2024+/TO3PN

IXTQ90N15T
深圳市祥润达电子有限公司
18000
IXYS
2023+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市金嘉锐电子有限公司
9860
IXYS
24+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市金灿利电子科技有限公司
138000
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市吉铭贸易有限公司
50000
IXYS
2020+/MOSFET NCH 150V 90A TO3P

IXTQ90N15T
深圳市科维诗电子有限公司
22617
IXYS/艾赛斯
21+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市华斯顿科技有限公司
15000
IXYS
2322+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
18850
IXYS
19+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市莱多米科技电子有限公司
5425
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市创芯联盈电子有限公司
6800
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ90N15T
中扬电子（深圳）有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
21+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市辉华拓展科技有限公司
22617
IXYS/艾赛斯
21+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市怡兴业电子科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ90N15T相关型号推荐

IC词条百科

IXTQ90N15T参数

标准包装30
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列-
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 45A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds4100pF @ 25V
功率 - 最大455W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装TO-3P
包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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