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IXTQ90N15T 时间：2024/9/6 14:37:14 阅读：714

技术参数

极性:N-CH
　　耗散功率:455W(Tc)
　　漏源极电压(Vds):150 V
　　连续漏极电流(Ids):90A
　　输入电容(Ciss):4100pF 25V(Vds)
　　耗散功率(Max):455W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
　　封装:TO-3-3

物理参数

工作温度:-55℃~175℃(TJ)

IXTQ90N15T推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

IXTQ90N15T
深圳市金嘉锐电子有限公司
9860
IXYS
2026+/TO3P

IXTQ90N15T
上海熠富电子科技有限公司
65310
IXYS
2024/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市怡兴业电子科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市华美锐电子有限公司
52701
IXYS/艾赛斯
22+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
4500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市安富世纪电子有限公司
6000
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市金科创世纪电子有限公司
10000
IXYS
-/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市英特翎科技有限公司
3000
IXYS
23+/TO3P

IXTQ90N15T
无锡固电半导体股份有限公司
5000
ISC/无锡固电
25+/TO3PN

IXTQ90N15T
深圳市得捷芯城科技有限公司
9684
IXYS/艾赛斯
23+/NA/

IXTQ90N15T
深圳市富科达科技有限公司
21688
IXYS
2025/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市华盛锦科技有限公司
8000
IXYS
25+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市华斯顿科技有限公司
15000
IXYS
25+23+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市意好科技有限公司
750
xilinx
23+/TO3P

IXTQ90N15T
中科航电（深圳）电子集团有限
68900
IXYS
-/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市群川盛达电子有限公司
20000
IXYSLittelfuse
24+/TO3PN

IXTQ90N15T
柒号芯城电子商务(深圳)有限公
8000
IXYS
2024+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市金灿利电子科技有限公司
168000
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ90N15T
深圳市河锋鑫科技有限公司
9000
IXYS
2024+/TO3P3 SC653

IXTQ90N15T
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
60000
IXYS
2025+/TO3P

IXTQ90N15T相关型号推荐

IC词条百科

IXTQ90N15T参数

标准包装30
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列-
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 45A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds4100pF @ 25V
功率 - 最大455W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装TO-3P
包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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