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OR-3H7-4GB-TA1-G-(GK) 发布时间 时间:2025/6/18 23:49:45 查看 阅读:5

OR-3H7-4GB-TA1-G-(GK) 是一款高密度、低功耗的 DDR3 内存模块,主要应用于工业级和嵌入式设备中。该模块采用了 4GB 的存储容量,支持高速数据传输,同时具备较强的稳定性和可靠性,能够在宽温环境下工作。其设计符合 JEDEC 标准,确保与主流平台的兼容性。

参数

容量:4GB
  类型:DDR3 SDRAM
  接口:204-Pin SO-DIMM
  频率:1600MHz
  电压:1.35V
  引脚数:204
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:SO-DIMM
  数据宽度:64 bits

特性

OR-3H7-4GB-TA1-G-(GK) 模块采用先进的制造工艺,具有以下特点:
  1. 高速数据传输:支持高达 1600MT/s 的数据速率,适用于高性能计算场景。
  2. 宽温设计:能够在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内正常工作,适合恶劣环境下的应用。
  3. 低功耗:采用 1.35V 工作电压,有效降低能耗,延长系统续航时间。
  4. 稳定可靠:经过严格的测试和验证,确保在长时间运行中的稳定性。
  5. 兼容性强:遵循 JEDEC 标准,与多种主流处理器平台兼容。
  6. ECC 支持(可选):部分型号提供纠错码功能,进一步提升数据完整性。

应用

该内存模块广泛应用于以下领域:
  1. 工业自动化设备:如 PLC 控制器、数据采集系统等。
  2. 嵌入式计算机:包括单板计算机、网络设备、视频监控系统。
  3. 医疗设备:如超声波仪器、CT 扫描仪等对稳定性和性能要求较高的医疗仪器。
  4. 车载系统:例如 ADAS 高级驾驶辅助系统、车载信息娱乐系统。
  5. 物联网终端:用于需要大容量存储和高性能处理能力的物联网设备。

替代型号

OR-3H7-4GB-TA1-G-(GA)
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