时间：2025/10/11 13:59:17
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15FMN-BMTTN-A-TFT(LF)(SN) 是一款由富士通（现为富士电机，Fujitsu / Fuji Electric）生产的IGBT模块，属于高性能功率半导体器件，广泛应用于工业电机驱动、逆变器系统及电源转换设备中。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管，采用先进的封装技术以确保良好的热性能和电气绝缘能力。型号中的“15FMN”代表系列名称，“BMTTN”表示特定的电气特性和拓扑结构，“A”通常指版本或设计代次，“TFT”可能指示封装类型或终端配置，“(LF)”表明符合无铅（Lead-Free）制造标准，适用于环保要求较高的应用场景，“(SN)”可能是批次或可追溯性标识。该模块专为高效率、高可靠性设计，适合在恶劣工作环境下长期运行。其主要特点包括低导通压降、快速开关能力、优异的抗浪涌电流能力和坚固的模块结构，有助于提升整个系统的能效和稳定性。
器件类型：IGBT模块
额定电压：1200 V
额定电流：15 A
集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）：典型值约 1.7 V（在特定测试条件下）
最大结温：150 °C
开关频率：支持中高频操作，典型可达数十kHz
封装形式：紧凑型模块封装，带绝缘底板
安装方式：螺钉固定，适合散热器安装
隔离电压：≥ 2500 Vrms（典型值）
工作温度范围：-40 °C 至 +125 °C（存储温度更宽）
栅极阈值电压（Vge(th)）：典型值 6 V 左右
输入电容（Cies）：数百pF量级（具体依测试条件而定）
反向恢复时间（trr）：适用于快速恢复二极管集成应用
15FMN-BMTTN-A-TFT(LF)(SN) IGBT模块具备优异的动态与静态电气性能，其核心优势在于高功率密度与高效能转换能力。该模块内部采用先进的沟道栅场截止（Field-Stop Trench Gate）IGBT芯片技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体系统效率，特别适用于变频驱动和开关电源等对能效要求严苛的应用场景。IGBT单元经过优化设计，在保证高耐压（1200V）的同时实现了较低的集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)），有效减少导通期间的功率损耗，降低温升，提高系统可靠性。
模块集成了匹配的快速恢复二极管（FRD），与IGBT芯片协同工作，确保在感性负载下实现高效的续流功能，并具有较短的反向恢复时间（trr）和较低的反向恢复电荷（Qrr），减少了二极管反向恢复过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），增强了系统稳定性。此外，该模块采用高绝缘强度陶瓷基板（如Al2O3）和先进焊接工艺，确保良好的热传导性能和长期机械可靠性。模块底部带有绝缘金属基板，支持直接安装于散热器上，实现高效散热，同时满足高压隔离的安全标准。
该器件符合RoHS环保规范（LF标识），适用于全球市场的工业产品认证需求。其封装结构具备较强的抗热循环和功率循环能力，能够在频繁启停和负载波动的工况下保持稳定性能。内置的NTC温度传感器（部分版本可能配备）可用于实时监测模块内部温度，实现过温保护和智能控制策略。总体而言，该IGBT模块在可靠性、效率和安全性之间实现了良好平衡，是中功率工业级应用的理想选择。
该IGBT模块广泛应用于各类中功率电力电子系统中，典型用途包括通用交流变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、感应加热设备、电焊机电源以及小型风力发电系统的功率转换单元。在工业自动化领域，它常用于控制三相交流电机的速度与转矩，通过PWM调制实现精确的能量调节。在新能源应用中，该模块可用于DC-AC逆变环节，将光伏阵列或电池组输出的直流电高效转换为交流电并入电网或供给本地负载。此外，也适用于各类开关模式电源（SMPS）、直流变换器（如DC-DC Boost/Buck拓扑）中的高频开关单元，尤其适合需要高可靠性和长寿命的工作环境。由于其具备良好的电磁兼容性（EMC）表现和稳定的热性能，亦可用于医疗电源、轨道交通辅助电源系统及智能电网设备中。
15GMN-BMTTN-A-TFT(LF)(SN)
F4-15RBL12W1
