时间：2025/7/4 19:19:32
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GQM1875C2ER30WB12D 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于沟道增强型器件，广泛应用于需要高效能开关和低导通电阻的场景。该型号由知名半导体制造商生产，适用于工业、汽车及消费类电子设备中的电源管理电路。
这款 MOSFET 采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和较高的开关速度，能够显著减少能量损耗并提高系统效率。其封装形式为 DPAK (TO-263)，适合表面贴装技术 (SMT)，从而满足现代化电子产品对小型化和高可靠性的需求。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：60V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
连续漏极电流 (Id)：30A
导通电阻 (Rds(on))：2.9mΩ
功耗 (Pd)：114W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK (TO-263)
输入电容 (Ciss)：1940pF
GQM1875C2ER30WB12D 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型工作条件下可降低至 2.9mΩ，从而减少传导损耗。
2. 高电流处理能力，支持高达 30A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，具备低输入电容 (Ciss)，有助于实现高频应用。
4. 耐热性优越，能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围内稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 适用于表面贴装技术 (SMT)，简化了自动化生产和装配流程。
这些特性使得该器件非常适合用于高效能的 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关以及电池保护等应用场景。
GQM1875C2ER30WB12D 广泛应用于多种领域：
1. 工业设备：如逆变器、不间断电源 (UPS) 系统和开关电源 (SMPS)。
2. 汽车电子：包括电动车辆 (EV/HEV) 的电机控制器、车载充电器和 DC-DC 转换器。
3. 消费类电子产品：例如笔记本电脑适配器、手机快充模块和家用电器中的电源管理系统。
4. 通信设备：基站功率放大器、路由器电源模块。
5. 其他应用：太阳能微逆变器、LED 驱动器等需要高效功率转换的场景。
GQM1875C2ER30WB12DS, GQM1875C2ER30WB12DG, IRF3205, AO3400
