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FCPF600N65S3R0L 发布时间 时间:2025/5/8 1:23:23 查看 阅读:13

FCPF600N65S3R0L 是一款基于超结(Super Junction)技术的 N 沣道 MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛应用于高频开关电源、电机驱动和功率转换等领域。
  这款 MOSFET 采用了先进的封装技术,能够显著降低传导损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:650V
  持续漏极电流:6A
  导通电阻(典型值):120mΩ
  栅极电荷(典型值):48nC
  开关频率范围:高达 1MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 超低导通电阻设计,减少功率损耗,提高效率。
  2. 高频应用优化,具备快速开关特性,适合高频 PWM 控制。
  3. 先进的超结技术确保更小的芯片尺寸和更高的功率密度。
  4. 内置反向二极管支持高效的续流功能。
  5. 封装形式紧凑,便于 PCB 布局和散热设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. DC-DC 转换器及同步整流电路。
  3. 电机驱动和逆变器控制。
  4. 太阳能微逆变器和储能系统。
  5. LED 驱动器及负载切换应用。

替代型号

FCPF500N65S3R0L, FCPF700N65S3R0L, CSD19536KCS

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FCPF600N65S3R0L参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列SuperFET? III
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)600 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 600μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)465 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)24W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220F-3
  • 封装/外壳TO-220-3 整包