时间：2025/6/27 2:23:58
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2SK508G-K51-AE3-R 是一种高性能的双极型晶体管 (BJT)，主要用于高频和高功率放大应用。该型号属于东芝 (Toshiba) 的 2SK 系列，广泛应用于射频 (RF) 放大器、振荡器以及各种通信设备中。
这种晶体管采用了先进的制造工艺，能够提供出色的增益和稳定性，同时具备低噪声特性和较高的截止频率。由于其优异的性能，2SK508G-K51-AE3-R 在专业音频设备、无线通信模块和其他要求严格的电子系统中具有重要地位。
最大集电极电流：6A
最大集电极-发射极电压：150V
最大基极-发射极电压：7V
最大耗散功率：60W
特征频率 (fT)：400MHz
直流电流增益 (hFE)：最小值 20，典型值 80
封装类型：TO-3P
2SK508G-K51-AE3-R 晶体管以其卓越的电气性能而著称。它支持高达 400MHz 的特征频率，这使其非常适合用于高频电路设计。此外，其高电流承载能力和高电压耐受性确保了在复杂环境下的稳定运行。
该晶体管的直流电流增益范围为 20 至 80，适用于需要精确控制的应用场景。通过优化的内部结构设计，2SK508G-K51-AE3-R 能够实现低噪声操作，并在高温条件下保持稳定的性能表现。
另外，TO-3P 封装形式提供了良好的散热能力，有助于延长器件的使用寿命。总的来说，这款晶体管是一款可靠且高效的解决方案，适合多种高要求的应用场合。
2SK508G-K51-AE3-R 主要用于以下领域：
1. 高频射频放大器的设计与实现。
2. 无线通信系统的信号处理模块。
3. 高保真音频放大器中的功率输出级。
4. 工业控制设备中的驱动电路。
5. 医疗设备中的精密信号调节单元。
由于其广泛的适用性，该型号已成为许多工程师在设计高性能电子系统时的首选组件。
2SK508D, 2SC5198
