MA0402CG221K100 是一款高性能的功率MOSFET芯片,属于沟道增强型场效应晶体管系列。该芯片广泛应用于电源管理、电机驱动和各种开关电路中,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统效率并降低功耗。
这款芯片采用了先进的制造工艺,具有出色的热稳定性和可靠性,能够在恶劣环境下保持稳定的性能表现。
型号:MA0402CG221K100
类型:N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds):40V
栅源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):22A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
总功耗(Ptot):15W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263
MA0402CG221K100 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少功率损耗,适用于高效能转换场景。
2. 高电流处理能力,支持高达22A的连续漏极电流,适合大功率应用。
3. 快速开关特性,有助于降低开关损耗并提高高频操作下的效率。
4. 优异的热性能,采用先进的封装技术,确保器件在高温环境下的长期稳定性。
5. 高栅极阈值电压设计,增强了抗噪能力,降低了误触发的风险。
6. 宽广的工作温度范围(-55℃至+175℃),使其适用于各种严苛的工业和汽车环境。
MA0402CG221K100 芯片被广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统(BMS) 中的关键功率控制单元。
5. 各种需要高效功率转换和精确控制的电子设备。
IRLZ44N, AO3400A, FDP5802