OFAF0AM200 时间：2025/12/28 21:44:56 阅读：10

OFAF0AM200 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率场效应晶体管（Power MOSFET），主要用于高功率应用，例如电源管理、电机控制、DC-DC转换器等。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有较低的导通电阻和较高的效率。OFAF0AM200 适用于多种工业和消费类电子设备中的功率管理电路，提供可靠的性能和稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：200A（最大）
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.012Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约150nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

OFAF0AM200 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其导通电阻通常在0.012Ω左右，使得该器件在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗。此外，OFAF0AM200 支持高达200A的连续漏极电流，能够在高负载条件下稳定工作，适用于需要高电流处理能力的应用场景。该MOSFET的栅极电荷（Qg）约为150nC，这在开关应用中非常重要，因为较低的栅极电荷可以减少开关损耗，提高整体系统的能效。器件的漏极-源极电压额定值为60V，适合中等电压的功率转换系统。OFAF0AM200 采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，便于散热并支持自动化装配，适用于高功率密度的设计。此外，其工作温度范围为-55°C至+175°C，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在恶劣环境下运行。该MOSFET还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持安全运行。由于其优异的电气和热性能，OFAF0AM200 广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电动工具、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和工业自动化设备中。

应用

OFAF0AM200 主要用于高功率和高效率的电子系统中，包括电源管理模块、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、电动车辆驱动器、工业自动化设备、UPS（不间断电源）系统、高功率LED驱动器以及各种需要高效功率开关的场合。由于其高电流能力和低导通电阻，OFAF0AM200 非常适合用于需要高效能和高可靠性的功率电子设备中。