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GA0402H222KXAAC31G 发布时间 时间:2025/5/24 20:03:31 查看 阅读:14

GA0402H222KXAAC31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于开关电源、电机驱动和功率转换等应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功率损耗并提高系统性能。
  此型号属于沟道增强型 MOSFET 系列,特别适合高频开关场景,广泛应用于消费电子、工业设备及通信领域。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  电压等级:40V
  连续漏极电流:22A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷:78nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA0402H222KXAAC31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在 10V 栅极驱动下仅为 2.5mΩ,有助于减少传导损耗。
  2. 高电流承载能力,连续漏极电流可达 22A,满足大功率应用需求。
  3. 快速开关性能,具有较低的栅极电荷(78nC),可有效降低开关损耗。
  4. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应各种严苛环境。
  5. 具备出色的热稳定性和可靠性,适合长时间运行的高负荷应用场景。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC 转换器的核心组件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。

替代型号

GA0402H222KXAAC32G
  IRF2807Z
  STP220N40F
  FDP22N40L

GA0402H222KXAAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-