时间：2025/9/2 11:28:41
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H5AN4G6NBJR-VKC 是一颗由SK hynix（海力士）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽内存解决方案的一部分，通常用于需要高速数据处理的应用场景，如高端计算、图形处理、网络设备和嵌入式系统。该型号属于GDDR6（Graphics Double Data Rate 6）系列，具备高性能和低延迟的特性。
类型：GDDR6 SDRAM
容量：4 Gb（Gigabit）
数据速率：14 Gbps（Gigabits per second）
电压：1.35V
封装类型：BGA（Ball Grid Array）
引脚数：180-pin
工作温度范围：0°C 至 +85°C
H5AN4G6NBJR-VKC 采用先进的GDDR6技术，提供高达14 Gbps的数据传输速率，适用于需要大量数据吞吐的应用，例如高性能显卡、游戏主机和AI加速卡。该芯片的高带宽能力显著提升了图形处理和并行计算性能。此外，其低电压设计（1.35V）有助于降低功耗和发热，提高系统能效。GDDR6架构还支持更高的密度和更宽的总线宽度，从而进一步增强性能表现。芯片采用180-pin BGA封装，确保在高频率下具备良好的信号完整性和热稳定性。
该器件的I/O架构优化了时钟和数据的同步性，减少了延迟，同时支持多种高级功能，如数据掩码（DM）、数据校验（CRC）和自动刷新功能，确保数据的完整性和可靠性。此外，H5AN4G6NBJR-VKC 还具备良好的兼容性，能够与现代GPU和SoC（系统级芯片）无缝集成，适用于各种高性能计算平台。
H5AN4G6NBJR-VKC 主要应用于高端显卡（如NVIDIA和AMD的GPU）、游戏主机（如PlayStation和Xbox）、AI加速卡、高性能计算（HPC）系统、数据中心加速器、网络交换设备以及需要大量图形处理能力的嵌入式系统。其高带宽特性使其特别适合处理4K/8K视频、复杂3D渲染、深度学习训练和推理等任务。
H5AN4G6NBXR-VKC, H5AN8G6NBJR-VKC, H5AN4G8NBJR-VKC
