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H5AN4G6NBJR-VKC 发布时间 时间:2025/9/2 11:28:41 查看 阅读:16

H5AN4G6NBJR-VKC 是一颗由SK hynix(海力士)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽内存解决方案的一部分,通常用于需要高速数据处理的应用场景,如高端计算、图形处理、网络设备和嵌入式系统。该型号属于GDDR6(Graphics Double Data Rate 6)系列,具备高性能和低延迟的特性。

参数

类型:GDDR6 SDRAM
  容量:4 Gb(Gigabit)
  数据速率:14 Gbps(Gigabits per second)
  电压:1.35V
  封装类型:BGA(Ball Grid Array)
  引脚数:180-pin
  工作温度范围:0°C 至 +85°C

特性

H5AN4G6NBJR-VKC 采用先进的GDDR6技术,提供高达14 Gbps的数据传输速率,适用于需要大量数据吞吐的应用,例如高性能显卡、游戏主机和AI加速卡。该芯片的高带宽能力显著提升了图形处理和并行计算性能。此外,其低电压设计(1.35V)有助于降低功耗和发热,提高系统能效。GDDR6架构还支持更高的密度和更宽的总线宽度,从而进一步增强性能表现。芯片采用180-pin BGA封装,确保在高频率下具备良好的信号完整性和热稳定性。
  该器件的I/O架构优化了时钟和数据的同步性,减少了延迟,同时支持多种高级功能,如数据掩码(DM)、数据校验(CRC)和自动刷新功能,确保数据的完整性和可靠性。此外,H5AN4G6NBJR-VKC 还具备良好的兼容性,能够与现代GPU和SoC(系统级芯片)无缝集成,适用于各种高性能计算平台。

应用

H5AN4G6NBJR-VKC 主要应用于高端显卡(如NVIDIA和AMD的GPU)、游戏主机(如PlayStation和Xbox)、AI加速卡、高性能计算(HPC)系统、数据中心加速器、网络交换设备以及需要大量图形处理能力的嵌入式系统。其高带宽特性使其特别适合处理4K/8K视频、复杂3D渲染、深度学习训练和推理等任务。

替代型号

H5AN4G6NBXR-VKC, H5AN8G6NBJR-VKC, H5AN4G8NBJR-VKC

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