时间：2025/8/24 14:45:09
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QTLP631CEBTR是一款由Qorvo公司生产的高性能射频功率晶体管，采用先进的GaAs（砷化镓）技术制造，适用于高频、高功率的无线通信应用。该器件主要面向蜂窝基站、无线电通信和工业设备等需要高线性度和高效率的场景。该晶体管采用表面贴装封装（SMD），便于在现代高频电路中集成。
类型：射频功率晶体管
工艺：GaAs FET
频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
输出功率：典型值35 W（脉冲模式）
增益：典型值18 dB
漏极效率：典型值60%
工作电压：+28 V
封装形式：表面贴装（SMD）
热阻：典型值0.35°C/W
工作温度范围：-40°C至+150°C
QTLP631CEBTR基于GaAs增强型场效应晶体管（E-FET）技术，具有出色的线性放大性能和高效率，适用于现代通信系统中的高功率发射机设计。其宽频带性能使其能够在2.3 GHz至2.7 GHz范围内稳定工作，覆盖了多种无线通信频段，如WiMAX、LTE和5G NR的部分频段。该器件的高漏极效率减少了功耗，降低了散热需求，有助于提高系统整体能效。此外，QTLP631CEBTR具备良好的热稳定性，可在恶劣环境下可靠运行，适用于高可靠性要求的应用场景。
该晶体管采用SMD封装，便于自动化装配，适用于高密度PCB布局。其低热阻设计有助于快速散热，从而提高器件的寿命和稳定性。该器件还具备良好的互调失真（IMD）性能，适合用于需要高信号保真度的多载波系统。
QTLP631CEBTR广泛应用于无线基础设施，如蜂窝基站（包括5G基站）、WiMAX基站、广播系统、无线电中继站、测试与测量设备、工业控制系统等。其高输出功率和优异的线性度使其成为宽带无线通信系统中理想的功率放大器解决方案。此外，它也适用于各种高频放大器、RF功率模块和无线发射设备。
QTLP630C、MRF6S27045SNR1、CGH40025F、NPTL631CRF
