时间:2025/11/5 21:02:20
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OB7050125MLDB6SI-00是一款由On-Bright(昂宝)电子推出的高性能、高集成度的电流模式脉宽调制(PWM)控制器,专为离线式反激变换器设计,广泛应用于中小功率开关电源系统中。该芯片采用了先进的BiCMOS工艺制造,具备低待机功耗、高效率和高可靠性的特点,适用于多种AC-DC转换场景。OB7050125MLDB6SI-00集成了多种保护功能,包括过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)以及前沿消隐(Leading Edge Blanking, LEB)等功能,有效提升了系统的安全性和稳定性。此外,该器件支持宽范围的输入电压,并可在全负载范围内实现良好的动态响应和输出调节精度。其封装形式为SOP-8,便于PCB布局与散热管理,适合用于对空间和能效有较高要求的应用场合。
型号:OB7050125MLDB6SI-00
制造商:On-Bright(昂宝)
封装类型:SOP-8
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
最大供电电压(VCC):25V
启动电流:≤3μA
工作电流:约3.5mA(典型值)
PWM开关频率:65kHz(典型值)
占空比范围:0~60%
反馈输入类型:电流模式控制
内置MOSFET:无(外驱型)
保护功能:过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)、前沿消隐(LEB)
调制方式:固定频率电流模式PWM
启动方式:高压电流源启动技术,实现快速启动与超低待机功耗
OB7050125MLDB6SI-00采用高压电流源启动技术,在上电时可通过内部高压电流源直接从VDD引脚获取启动电流,无需外部启动电阻即可完成初始启动过程,显著降低了待机功耗并提高了系统效率。该技术使得芯片在轻载或空载状态下仍能维持极低的功耗水平,满足能源之星(Energy Star)及DoE VI等国际能效标准的要求。同时,由于省去了传统的启动电阻,不仅减少了外围元件数量,还避免了因电阻老化导致的启动失败问题,提升了系统的长期可靠性。
该芯片具备完善的多重保护机制。过载保护(OLP)通过检测反馈信号持续时间来判断输出是否发生过载,一旦触发即进入打嗝模式(hiccup mode),限制输出功率并防止损坏电源组件;过压保护(OVP)可监测VCC电压或输出电压异常升高情况,及时关闭驱动输出以保护后级电路;欠压锁定(UVLO)确保芯片仅在供电电压达到稳定工作阈值后才开始运行,避免低压下的不稳定操作;过温保护(OTP)则实时监控芯片结温,当温度超过设定阈值时自动关断输出,待温度下降后恢复工作。这些保护功能协同作用,极大增强了电源系统的鲁棒性与安全性。
OB7050125MLDB6SI-00支持精确的电流模式控制,能够实现快速的瞬态响应和优异的负载调整率。其内置前沿消隐电路有效滤除开关管导通瞬间产生的尖峰干扰,防止误触发PWM比较器,从而提升系统抗噪能力与稳定性。此外,芯片具有软启动功能,可平滑地建立输出电压,避免启动过程中出现浪涌电流冲击变压器或输出电容。整体设计兼顾高效、节能与高集成度,适用于适配器、充电器、智能家电电源、工业控制电源等多种应用场景。
该芯片广泛应用于各类中小功率开关电源中,典型应用包括手机充电器、USB PD适配器、智能家居电源模块、LED照明驱动电源、路由器与机顶盒电源、小家电控制器电源等领域。其高集成度和出色的能效表现使其成为追求小型化与高效率电源设计的理想选择。特别适用于需要满足严苛能效认证标准(如IEC 62302、CoC Tier 2、DoE Level VI)的产品设计。此外,也可用于工业传感器供电、隔离式DC-DC辅助电源等对可靠性要求较高的场合。凭借其稳定的性能和丰富的保护功能,OB7050125MLDB6SI-00已成为许多原厂和ODM厂商在中低端反激电源方案中的主流选型之一。