SQCB7A2R7CAJME 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及其他高效率电力电子应用。该器件采用了先进的封装技术,能够提供卓越的热性能和电气性能。
其设计旨在降低导通电阻和开关损耗,从而提升整体系统效率。此外,它还具备快速开关速度和高电流处理能力。
型号:SQCB7A2R7CAJME
类型:GaN 功率晶体管
导通电阻:2.7 毫欧姆
最大漏源电压:650 伏
连续漏极电流:30 安培
栅极电荷:95 纳库仑
开关频率:最高支持 2 MHz
封装形式:TO-247-4L
SQCB7A2R7CAJME 具有以下关键特性:
1. 高效的氮化镓技术,确保低导通电阻和低开关损耗。
2. 快速开关能力,适合高频应用。
3. 高耐压能力,能够在 650V 的条件下稳定运行。
4. 强大的电流承载能力,连续漏极电流高达 30A。
5. 优化的热管理设计,提高了散热性能。
6. 封装兼容性良好,便于系统集成。
这些特点使 SQCB7A2R7CAJME 成为现代电力电子设备的理想选择。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 高频开关电源(SMPS)。
2. 数据中心服务器电源模块。
3. 新能源汽车车载充电器(OBC)。
4. 工业 DC-DC 转换器。
5. 太阳能逆变器中的功率转换部分。
6. 电动工具及家用电器中的高效功率驱动电路。
SQCB7A2R7CAJME 的高性能和可靠性使其成为这些领域的核心组件。
SQCB7A2R8CAJME
SQCB7A2R9CAJME
SQCB7A2R6CAJME