时间：2025/6/25 23:41:47
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FN21N1R2B500PAG 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 功率晶体管，采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种需要高效功率转换的应用场景。其封装形式为 TO-247，能够提供良好的散热性能，确保在高功率环境下的稳定运行。
该 MOSFET 的主要特点是优化了栅极电荷，从而降低了开关损耗，并提高了整体系统的效率。它广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他功率电子设备中。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：21A
导通电阻：1.2mΩ
栅源电压：±20V
功耗：360W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FN21N1R2B500PAG 提供了卓越的电气性能和可靠性。以下是其主要特性：
1. 高击穿电压（500V），适合高压应用环境。
2. 低导通电阻（1.2mΩ），有效降低传导损耗。
3. 快速开关能力，减少了开关过程中的能量损失。
4. 支持高达 21A 的连续漏极电流，适应大电流负载需求。
5. 工作温度范围广（-55℃ 至 +175℃），能够在极端条件下正常运行。
6. 使用 TO-247 封装，具备出色的热管理和机械强度。
这些特性使得 FN21N1R2B500PAG 成为高效率功率转换的理想选择。
FN21N1R2B500PAG 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）和 DC-DC 转换。
2. 各类工业电机驱动系统，如伺服电机、步进电机等。
3. 太阳能逆变器及其他可再生能源发电设备。
4. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统和牵引逆变器。
5. 不间断电源（UPS）和应急照明系统。
6. 其他需要高效率、高可靠性的功率控制场合。
IRFP260N, FDP18N50, STW14NM50H
