HZU4.7BZTRF.E 是一款由 Renesas(瑞萨电子)生产的小信号肖特基二极管,广泛应用于高频开关、信号整流、保护电路等场景。该器件采用先进的硅肖特基势垒技术,具有较低的正向压降和快速的恢复时间,适用于高效率和高频工作的电子系统。该二极管封装为SOT-23(小外形晶体管封装),适合表面贴装工艺,广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中。
类型:肖特基二极管
最大正向电流:100 mA
最大反向电压:40 V
正向压降:最大0.35 V @ 10 mA
反向漏电流:最大100 nA @ 40 V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
HZU4.7BZTRF.E 的核心优势在于其低正向压降,这有助于提高电路的能效,尤其是在电池供电设备中。其快速恢复时间(几乎为零)使其适用于高频整流和高速开关应用。
该器件的SOT-23封装体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,并且具有良好的热稳定性。此外,HZU4.7BZTRF.E 的最大反向电压为40V,使其适用于中等电压的应用环境,如电源管理电路、信号检波器和静电放电(ESD)保护电路。
器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,适合绿色电子产品的设计要求。
HZU4.7BZTRF.E 被广泛应用于多个领域,包括消费类电子产品中的USB电源管理、电池充电保护和信号整流电路;工业设备中的传感器信号调理和低电压整流;通信系统中的射频信号检波和天线保护电路;以及汽车电子中的低功耗电源管理系统。
由于其良好的高频性能和低功耗特性,该器件也常用于无线通信模块中的检波电路和DC-DC转换器的续流二极管。此外,在便携式设备中,HZU4.7BZTRF.E 的低功耗和小型化优势尤为明显,有助于延长设备的续航时间。
HZU4.7BZTRF.E的替代型号包括HZU4.7BZTR、HZU4.7BZ和1N5711WS。