K9WBG08U1M-PCB0 是三星(Samsung)推出的一款基于 NAND 闪存技术的存储芯片,主要应用于嵌入式系统、移动设备和数据存储领域。该型号属于 K9 系列,支持高密度存储需求,具有低功耗和高性能的特点,适合需要大容量存储且对速度有一定要求的应用场景。
容量:8Gb (1GB)
接口类型:ONFI 2.2
工作电压:2.7V - 3.6V
封装形式:TSOP
存储单元:MLC (Multi-Level Cell)
数据传输速率:最高可达 40MB/s
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
擦写周期:3000 次 (典型值)
数据保存时间:10 年 (在 25°C 下)
引脚数:48
K9WBG08U1M-PCB0 采用先进的 MLC 技术,能够以较低的成本提供较高的存储密度。
其支持 ONFI 2.2 接口标准,确保与多种主控芯片的良好兼容性。
芯片具备低功耗设计,特别适合电池供电的便携式设备。
通过内置 ECC(Error Correction Code)机制,可以有效提升数据的可靠性和稳定性。
此外,该芯片还支持块管理和坏块处理功能,从而延长产品的使用寿命。
工作温度范围宽广,能够在恶劣环境下保持稳定的性能表现。
K9WBG08U1M-PCB0 芯片广泛应用于各种需要大容量存储的场景,例如智能手机、平板电脑、数码相机、固态硬盘(SSD)、工业控制设备以及物联网终端等。
在消费电子领域,它可用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
在工业领域,其高可靠性和宽温特性使其成为数据记录仪、监控系统和自动化设备的理想选择。
此外,该芯片还可用于备份存储解决方案,满足企业级数据保护的需求。
K9WBG08U5M-SCK0
K9WBG08U1M-BGA0
K9WBG08U1A-SCK0