GA0805H123JBXBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
这款MOSFET为N沟道增强型器件,其优化设计使其在高频工作条件下依然保持良好的性能表现,同时具备强大的浪涌电流能力,适用于严苛的工作环境。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:10A
导通电阻:4mΩ
栅极电荷:25nC
开关时间:开启延迟时间:8ns,上升时间:3ns,关断延迟时间:25ns,下降时间:8ns
工作结温范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻,减少传导损耗,提升效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用。
3. 强大的抗浪涌能力,增强系统可靠性。
4. 优异的热稳定性,确保在高温环境下正常运行。
5. 小尺寸封装,节省PCB空间,便于紧凑型设计。
6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的负载切换元件。
IRF7404, FDP069N06L, AO6402