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GA0805H123JBXBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 18:22:02 查看 阅读:5

GA0805H123JBXBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
  这款MOSFET为N沟道增强型器件,其优化设计使其在高频工作条件下依然保持良好的性能表现,同时具备强大的浪涌电流能力,适用于严苛的工作环境。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:25nC
  开关时间:开启延迟时间:8ns,上升时间:3ns,关断延迟时间:25ns,下降时间:8ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻,减少传导损耗,提升效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用。
  3. 强大的抗浪涌能力,增强系统可靠性。
  4. 优异的热稳定性,确保在高温环境下正常运行。
  5. 小尺寸封装,节省PCB空间,便于紧凑型设计。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的负载切换元件。

替代型号

IRF7404, FDP069N06L, AO6402

GA0805H123JBXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-