类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：200 A
　　漏源击穿电压（VDS）：40 V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5 mΩ（典型值）
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：TO-247

IXTQ200N04T 是一款专为高功率应用设计的高性能 MOSFET。其低导通电阻（RDS(on)）仅为 4.5 mΩ，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。这种特性使其非常适合用于高电流、高频开关应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器以及电机控制电路。该器件的 TO-247 封装形式有助于良好的热管理和散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 4V 至 20V 之间工作，提供了灵活的驱动选项。
　　IXTQ200N04T 具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，这使得它在负载突变或短路故障情况下具备更强的可靠性。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，从而提升整体能效。此外，该器件的热阻较低，确保在高温环境下也能保持稳定的性能表现，延长使用寿命。
　　由于其优异的电气性能和热稳定性，IXTQ200N04T 被广泛应用于工业电源、汽车电子、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及高功率 LED 驱动器等高要求的电力电子系统中。该 MOSFET 还符合 RoHS 环保标准，适合现代绿色电子产品的设计需求。

IXTQ200N04T 被广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于工业电源、电机驱动器、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及高功率 LED 照明系统。它在这些应用中主要用于实现高效的功率开关控制，提高整体系统的能效和稳定性。

IXTQ200N04TB2, IXTQ200N04T4