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GA1812A391GXAAR31G 发布时间 时间:2025/6/21 22:33:20 查看 阅读:19

GA1812A391GXAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,从而实现高效的能量转换和较低的热损耗。
  这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件,能够承受较高的电压,并提供强大的电流承载能力。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型,方便在现代高密度电路板上的应用。

参数

最大漏源电压:60V
  持续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:60nC
  总电容:450pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263

特性

GA1812A391GXAAR31G具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著减少导通状态下的功率损耗。
  2. 快速的开关速度,有助于提高工作效率并降低电磁干扰。
  3. 高雪崩击穿能量耐受能力,提高了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 优化的热性能设计,确保在高功率应用中的稳定性。
  5. 符合RoHS标准,满足环保要求。

应用

该型号主要适用于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中作为主功率开关使用。
  2. 用于各类DC-DC转换器中以提升效率和减小体积。
  3. 在电机驱动电路中控制负载电流,实现精准的速度调节。
  4. 多种工业自动化设备及汽车电子系统中的功率管理模块。
  5. 电池保护电路以及负载切换应用中起到关键作用。

替代型号

GA1812A390GXAAR31G
  IRFZ44N
  FDP5500
  STP30NF06L

GA1812A391GXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容390 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-