类型：功率 MOSFET
　　制造工艺：CoolMOS?
　　最大漏源电压（VDS）：1000 V
　　最大漏极电流（ID）：5 A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2 Ω @ VGS = 10 V
　　栅极电荷（Qg）：32 nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-264
　　功率耗散（Ptot）：75 W
　　漏极电容（Coss）：27 pF（典型值）

IXFP05N100M 具有多个优异的电气和热性能特点。首先，其高达 1000V 的漏源耐压能力使其非常适合用于高电压电源转换应用，例如开关电源（SMPS）、光伏逆变器和工业电机驱动器。其次，该器件的导通电阻仅为 2.2Ω，在同类产品中具有较低的导通损耗，从而提高了整体系统的效率。
　　此外，该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为 32nC，具有较低的开关损耗，使得在高频工作条件下仍能保持良好的性能。该器件的漏极电容（Coss）为 27pF，有助于减少高频开关时的能量损耗。
　　TO-264 封装提供了良好的热管理和机械稳定性，确保在高温环境下稳定运行。其最大功耗为 75W，并可在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内正常工作，适用于严苛的工业环境。
　　由于采用了英飞凌先进的高压 MOSFET 技术，IXFP05N100M 在高电压和高电流条件下仍能保持优异的稳定性和可靠性。

IXFP05N100M 主要应用于高电压功率转换系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可用于高效率的 DC-AC 或 DC-DC 转换器，提高整体能效。在光伏逆变器中，该 MOSFET 可作为主开关元件，实现太阳能板直流电到交流电的高效转换。此外，该器件也适用于工业电机驱动器、不间断电源（UPS）系统、LED 照明电源以及电动汽车充电设备等高可靠性要求的场合。
　　由于其高耐压和低导通电阻的特性，IXFP05N100M 非常适合用于谐振变换器和软开关拓扑结构，有助于减少开关损耗并提高系统稳定性。此外，该器件还可用于电焊机、激光电源和高电压测试设备等工业控制和测试应用中。

SPW20N60CFD, FCP20N60S3, STF8NM60DM2