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IXGT30N120B3D1 发布时间 时间:2025/8/6 9:49:41 查看 阅读:17

IXGT30N120B3D1是一款由IXYS公司生产的高功率IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,适用于高电压和高电流的应用场景。该模块采用先进的技术设计,具有较高的导通性能和较低的开关损耗,适用于工业电机控制、电力转换系统和可再生能源系统等应用。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(Vce):1200V
  额定集电极电流(Ic):30A
  最大工作温度:150°C
  封装类型:TO-247
  导通压降(Vce_sat):约2.1V(典型值)
  短路耐受能力:支持
  工作温度范围:-40°C至150°C
  最大存储温度:-55°C至150°C
  封装材料:符合RoHS标准

特性

IXGT30N120B3D1具备一系列高性能特性,使其在复杂的电力电子应用中表现出色。首先,该模块的最大集电极-发射极电压为1200V,额定集电极电流为30A,能够承受较高的电压和电流应力,适用于高功率需求的系统。此外,其导通压降约为2.1V,降低了导通损耗,从而提高了系统的整体效率。
  该模块具有良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的短路电流,增强了系统的可靠性。其工作温度范围为-40°C至150°C,适应性强,可在恶劣环境下稳定运行。封装采用TO-247标准封装,符合RoHS环保标准,方便安装和散热管理。
  IXGT30N120B3D1采用了先进的IGBT芯片技术,优化了开关特性和导通性能,使其在高频开关应用中具有较低的开关损耗,有助于提高系统的效率和稳定性。模块内部结构设计合理,具有良好的绝缘性能和抗干扰能力,适用于工业控制、电源转换、UPS系统、电机驱动以及可再生能源系统等多种应用场合。

应用

IXGT30N120B3D1广泛应用于各种高功率电子设备中,包括工业电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、风力发电变流器、电焊机、电动汽车充电系统以及智能电网系统等。其高电压和高电流承受能力,使其成为需要高效能、高可靠性的电力电子系统中的理想选择。

替代型号

IXGH30N120B3, IXGT40N120B3D1, FF300R12KE3

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IXGT30N120B3D1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.5V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)30A
  • 功率 - 最大300W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件