WPE2572WP8 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
型号:WPE2572WP8
类型:N沟道增强型MOSFET
封装形式:TO-220
最大漏源电压(Vds):70V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):60A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ @ Vgs=10V
总功耗(Ptot):150W
工作温度范围(Tj):-55℃ to +175℃
存储温度范围:-65℃ to +150℃
WPE2572WP8 具有以下显著特点:导通电阻 (Rds(on)),能够在大电流应用中显著减少功率损耗。
2. 高速开关性能,适合高频开关电源和DC-DC转换器。
3. 强大的过流能力和热稳定性,确保在极端条件下仍能可靠运行。
4. 提供良好的 ESD(静电放电)保护能力,增强器件的抗干扰性能。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际规范要求。
WPE2572WP8 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关元件。
2. 各种 DC-DC 转换器模块中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 工业设备和汽车电子中的负载切换与功率管理。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品的核心功率组件。
IRFZ44N, FDP55N06L, STP55NF06L