2116 是一种静态随机存取存储器(SRAM)芯片,具有较高的读写速度和稳定性。该芯片通常用于需要快速数据存取的场合,例如计算机内存、嵌入式系统和高速缓存应用。2116 的设计基于双极型晶体管技术,这使得它在性能上优于许多其他类型的存储器。
类型:SRAM
容量:16K 位(2K x 8)
电源电压:+5V
工作温度范围:0°C 至 70°C
封装类型:DIP(双列直插式封装)
引脚数:24
访问时间:约55 ns
读取电流:约120 mA
写入电流:约150 mA
输入/输出电平:TTL 兼容
2116 SRAM 芯片以其高速度和可靠性著称。由于其使用双极型晶体管技术,该芯片能够提供快速的读写操作,适用于对速度有较高要求的应用场景。此外,2116 还具有良好的抗干扰能力,可以在各种工作环境中保持稳定运行。其 TTL 兼容的输入/输出电平使其能够方便地与多种数字电路接口。2116 的 24 引脚 DIP 封装设计使其易于安装和使用,特别适合实验和原型开发。虽然 SRAM 的功耗相对于其他类型的存储器(如 DRAM 或 Flash)较高,但由于其不需要刷新电路,因此在某些应用中可能更简单且更可靠。2116 的 16K 位存储容量为中等规模的数据存储提供了良好的解决方案,适合多种嵌入式系统和计算设备的使用需求。
2116 SRAM 芯片广泛应用于需要快速数据存取的场景,例如早期的计算机系统、工业控制系统、通信设备、测试仪器以及一些嵌入式系统中。它常用于缓存、临时数据存储以及需要快速响应的控制系统中。由于其 TTL 兼容性和相对简单的接口设计,2116 也常用于教学和实验用途,帮助学生和工程师进行存储器相关的设计和调试。
2114, 6116, 6264