产品类型：NAND闪存
　　容量：128MB（兆字节）
　　电压范围：2.7V至3.6V
　　接口类型：并行NAND接口
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　页面大小：512字节+16字节（备用区）
　　块大小：32页/块
　　擦写周期：10万次以上
　　数据保持时间：10年以上

HY27US08281A-TPCBDR具备多种高性能和可靠性特性，适用于工业和消费类电子设备。
　　首先，该芯片采用NAND闪存技术，具有较高的存储密度和较低的成本每比特，使其成为大容量数据存储的理想选择。其128MB的容量可满足多种嵌入式系统的存储需求，例如固件存储、数据日志记录等。
　　其次，该芯片支持宽电压范围（2.7V至3.6V），确保在不同电源条件下稳定运行。这种设计使其适用于多种电源管理方案，包括电池供电设备和标准电源供电系统。
　　此外，HY27US08281A-TPCBDR采用TSOP封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合在高振动或高温环境下使用。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）也使其适用于严苛环境下的应用，如工业控制、车载电子设备等。
　　该芯片支持标准的并行NAND接口，与多种主控芯片兼容，便于系统集成和升级。其页面大小为512字节+16字节备用区，允许存储额外的纠错码（ECC）信息，提高数据完整性和可靠性。
　　另外，该芯片具备高耐久性，擦写周期可达10万次以上，并支持长达10年的数据保持时间，确保长期数据存储的稳定性。这些特性使其非常适合用于需要频繁写入和读取的应用场景，如嵌入式存储器、数据记录仪等。

HY27US08281A-TPCBDR广泛应用于各种嵌入式系统和存储设备中。常见的应用场景包括工业控制设备、消费类电子产品、车载导航系统、数据记录仪以及便携式电子设备。其高容量、低功耗和宽电压范围使其适用于需要可靠数据存储和长时间运行的系统。此外，该芯片也可用于固件存储、系统启动存储以及小型数据库的存储管理。

K9F1208U0B-PCB0, TC58NVG2S0AFT00, NAND512R3A