MRF9080SR3 是一款由NXP Semiconductors(原摩托罗拉半导体部门)设计和制造的射频功率晶体管(RF Power Transistor),主要用于高功率射频放大器应用。该器件采用硅N沟道横向金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)技术制造,具有高增益、高效率和良好的热稳定性能。MRF9080SR3适用于蜂窝通信基础设施、广播系统、工业加热设备以及医疗射频设备中的功率放大电路。
类型:N沟道LDMOS射频功率晶体管
最大漏极电压:125V
最大连续漏极电流:10A
工作频率范围:DC至1GHz
输出功率:典型值80W(在900MHz)
增益:约18dB(在900MHz)
效率:约65%(在900MHz)
封装类型:TO-247AB
热阻(结至壳):约1.0°C/W
MRF9080SR3 具备多项优异的电气和热性能特性,确保其在高功率射频应用中稳定可靠地工作。首先,该器件采用LDMOS技术,使得其在射频功率放大器中具有高效率和高线性度,适用于现代通信系统中对信号质量要求较高的场景。其次,MRF9080SR3 的高输出功率能力(典型值80W)和良好的增益特性(18dB)使其在UHF频段(特别是900MHz)表现优异。此外,该晶体管具有良好的热稳定性和高耐用性,能够在高温环境下长时间运行,热阻(结至壳)约为1.0°C/W,表明其具有良好的散热能力。MRF9080SR3 的封装采用TO-247AB形式,便于安装在散热器上,提高散热效率,适用于高功率密度的设计。该晶体管还具备良好的抗失真能力,适合用于多载波通信系统和数字调制应用。最后,其工作频率范围覆盖DC至1GHz,适用范围广泛,包括蜂窝基站、广播发射机、工业加热设备和医疗射频系统等应用场景。
MRF9080SR3 主要用于各种高功率射频放大器系统中,尤其是在蜂窝通信基础设施中作为基站功率放大器使用。它广泛应用于GSM、CDMA、WCDMA等移动通信系统中的射频功率放大器模块(PAM)。此外,该晶体管也适用于广播发射系统,如FM广播和电视发射器中的射频放大环节。在工业领域,MRF9080SR3 可用于射频加热和等离子体发生设备中的功率放大电路。医疗设备中,该器件也可用于射频治疗设备和MRI(磁共振成像)系统的射频功率放大器部分。此外,MRF9080SR3 也适用于无线本地环路(WLL)、无线接入点(WAP)和应急通信设备中的射频功率放大器设计。
MRF9080SR3的替代型号包括MRF9080S、MRF9060SR3、MRF9180SR3等。