时间：2025/5/13 18:26:32
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CDR31BP1R3BCZRAT是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的功率MOSFET器件，采用TO-263-3表面贴装封装形式。该器件属于P沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特点，广泛应用于各种电源管理场景，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理等。这种MOSFET能够承受较高的漏源电压，并且在高频应用中表现优异。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±8V
持续漏极电流：-3.9A
导通电阻（典型值）：55mΩ
栅极电荷（典型值）：10nC
开关时间：ton=17ns，toff=15ns
工作结温范围：-55℃至150℃
1. 低导通电阻设计，减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 高电流处理能力，适用于大功率负载控制。
4. 小型化表面贴装封装，便于电路板布局与安装。
5. 提供良好的热稳定性和电气可靠性，延长使用寿命。
6. 符合RoHS标准，绿色环保无铅材料制造。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流或降压拓扑。
2. 工业设备中的负载开关及保护电路。
3. 消费类电子产品的电池充电管理系统。
4. LED照明驱动电路。
5. 小型电机驱动及逆变器应用。
6. 便携式设备的电源管理单元。
FDP5800, IRF9540N, AO3401A
